P-N結半導體探測器的工作原理
多數載流子擴散，空間電荷形成內電場并形成結區。結區內存在著勢壘，結區又稱為勢壘區。勢壘區內為耗盡層，無載流子存在，實現高電阻率，遠高于本征電阻率 [4] 。
在P-N結上加反向電壓，由于結區電阻率很高，電位差幾乎都降在結區。
反向電壓形成的電場與內電場方向一致。
在外加反向電壓時的反向電流：
少子的擴散電流，結區面積不變，IS 不變；
結區體積加大，熱運動產生電子空穴多，IG 增大；
反向電壓產生漏電流 IL ，主要是表面漏電流。
推薦
關注公眾號
手機查看
多數載流子擴散，空間電荷形成內電場并形成結區。結區內存在著勢壘，結區又稱為勢壘區。勢壘區內為耗盡層，無載流子存在，實現高電阻率，遠高于本征電阻率 [4] 。
在P-N結上加反向電壓，由于結區電阻率很高，電位差幾乎都降在結區。
反向電壓形成的電場與內電場方向一致。
在外加反向電壓時的反向電流：
少子的擴散電流，結區面積不變，IS 不變；
結區體積加大，熱運動產生電子空穴多，IG 增大；
反向電壓產生漏電流 IL ，主要是表面漏電流。
