晶體缺陷表示方法

本專題涉及晶體缺陷表示方法的標準有17條。

國際標準分類中，晶體缺陷表示方法涉及到陶瓷、半導體材料、有色金屬、印制技術、集成電路、微電子學、電子顯示器件、木基板材。

在中國標準分類中，晶體缺陷表示方法涉及到半金屬與半導體材料綜合、縮微復印機械、感光材料、金屬化學性能試驗方法、、電子束管、其他。

英國標準學會，關于晶體缺陷表示方法的標準

• BS ISO 5618-1:2023 精細陶瓷（先進陶瓷高級技術陶瓷） GaN晶體表面缺陷的測試方法 缺陷的分類
• 23/30438675 DC BS ISO 5618-1 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） GaN晶體表面缺陷的測試方法 第1部分：缺陷的分類
• BS EN 61988-2-3:2009 等離子體顯示器.測量方法.圖像質量.退化和缺陷

國際標準化組織，關于晶體缺陷表示方法的標準

• ISO/PRF 5618-1:2023 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） GaN晶體表面缺陷測試方法 第1部分：缺陷分類
• ISO/DIS 5618-1:2023 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） GaN晶體表面缺陷測試方法 第1部分：第1部分：缺陷分類
• ISO/CD 5618-2:2023 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） GaN晶體表面缺陷測試方法 第2部分：蝕坑密度的測定方法
• ISO/DIS 5618-2:2023 精細陶瓷（先進陶瓷、先進技術陶瓷） GaN晶體表面缺陷測試方法 第2部分：蝕坑密度的測定方法

國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會，關于晶體缺陷表示方法的標準

• GB/T 37051-2018 太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法

韓國科技標準局，關于晶體缺陷表示方法的標準

• KS D 0258-2012(2022) 用優先蝕刻技術測試硅中晶體缺陷的方法

行業標準-機械，關于晶體缺陷表示方法的標準

• JB/T 8268-2015 靜電復印光導體表面缺陷測量方法
• JB/T 8268-1999 靜電復印感光體表面缺陷 測量方法

日本工業標準調查會，關于晶體缺陷表示方法的標準

• JIS H 0609:1999 用優選浸蝕技術檢測硅中晶體缺陷的試驗方法

中國團體標準，關于晶體缺陷表示方法的標準

• T/CPIA 0009-2019 電致發光成像測試晶體硅光伏組件缺陷的方法

丹麥標準化協會，關于晶體缺陷表示方法的標準

• DS/EN 635-5:1999 膠合板按表面外觀分類第5部分：特性和缺陷的測量和表示方法

立陶宛標準局，關于晶體缺陷表示方法的標準

• LST EN 635-5-2000 膠合板按表面外觀分類第5部分：特性和缺陷的測量和表示方法

AENOR，關于晶體缺陷表示方法的標準

• UNE-EN 635-5:1999 膠合板 按表面外觀分類 第5部分：測量和表示特性和缺陷的方法

德國標準化學會，關于晶體缺陷表示方法的標準

• DIN EN 61988-2-3:2010 等離子體顯示板.第2-3部分:光電測量方法.圖像質量:缺陷和退降(IEC 61988-2-3-2009); 德文版本 EN 61988-2-3-2009

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