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GENERAL RULE OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
本標準規定了電磁灶用微晶面板（以下簡稱微晶面板）的術語和定義、產品分類、基本要求、技術要求、試驗方法、檢驗規則和標志、包裝、運輸、貯存和質量承諾。 本標準適用于家用或類似用途電磁灶
The glass-ceramic plate for induction cooker
本標準規定了電磁灶用微晶面板(以下簡稱“微晶面板”)的術語和定義、分類、要求、試驗方法、檢驗規則和標志、包裝、運輸、貯存。本標準適用于家用和類似用途電磁灶，包括氣、電組合型家用和類似用途器具的電磁加熱部分所用的微晶面板
Glass-ceramic plate for induction cooker
液晶面板制程是指液晶顯示器的核心部件——液晶面板的生產過程，涉及到多種復雜的技術和工藝，如薄膜沉積、光刻曝光、蝕刻剝膜、配向摩擦、膠合貼合、切割分選等。液晶面板制程的質量和效率直接影響到液晶顯示器的性能和成本，是液晶顯示行業的核心競爭力之一。液晶面板制程缺陷檢測是指對液晶面板在生產過程中產生的各種
LCD panel manufacturing process defect detection method
適用于對具有液晶面板產品實際生產過程的工廠進行評價
Evaluation Requirements for Green Factory in LCD Panel Manufacturing Industry
本標準規定了液晶面板制造業綠色工廠評價（以下簡稱“評價”）的原則、方法、指標體系及要求、程序和報告格式等。 本標準適用于對具有液晶面板產品實際生產過程的工廠進行評價
Assessment requirements for green factory in liquid crystal display（LCD） panel manufacturing industry
TESTING METHODS OF BASIC ENVIRONMENT AND ENDURANCE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANELS
本標準規定了液晶面板制造稀釋廢液的組成、回收再利用方法及環境保護要求。 本標準適用于薄膜晶體管液晶顯示器（TFTLCD）面板生產線稀釋廢液的回收再利用
Methods for disposing reused thinner waste in the production of TFT-LCD
本文件規定了利用高分辨X射線衍射儀測試氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的方法。 本文件適用于化學氣相沉積及其他方法制備的氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的測試,氮化鎵外延片晶面曲率半徑的測試可參照本文件進行
Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers
本文件描述了變形鋁及鋁合金晶粒尺寸和再結晶面積分數的測定方法。 本方法適用于采用電子背散射衍射（以下簡稱“EBSD”）測定變形鋁及鋁合金平均晶粒尺寸（小于100μm）和再結晶面積分數
Determination of grain size and recrystallization area fraction of deformed aluminum and aluminum alloys - Electron backscattered diffraction method
本標準規定了利用Si(111)唱面原子臺階高度樣品校準原子力顯微鏡=向標度的測量方法。 本標準適用于在大氣或真空環境下工作的原子力顯微鏡,并且其=向放大倍率達到最大量級,即>向位移在納米和亞納米范圍內,這是原子力顯微鏡用于檢測半導體表面,光學器件表面和其他高科技元件表面中經常用到的檢測范圍。 本標準
Test method for calibrating the z-magnification of an atomic force microscope at subnanometer displacement levels using Si(111) monatomic steps
本標準規定了單晶晶片的術語和定義、基本要求、產品要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸和儲存、質量承諾。 本標準適用于人造石英（QZ）、鈮酸鋰（LN）、鉭酸鋰（LT）、四硼酸鋰（LBO）和硅酸鎵鑭（LGS）等單晶晶片。這些單晶晶片用作聲表面波(SAW)器件的基片材料。
Single crystal wafers for surface acoustic wave device applications
本標準規定了用X射線技術測量硅片參考面結晶學取向的方法。 本標準適用于硅片參考面結晶學取向與參考面規定取向之間角度偏差的測量。硅片直徑為50～125mm，參考面長度為10～50mm。 本標準不適用于硅片規定取向在與參考面和硅片表面相垂直的平面內的投影與硅片表面法線之間夾角不小于3
Method for measuring crystallographic orientation of flats on single crystal sillcon slices and wafers by X-ray techniques
本標準規定了采用X射線定向儀測定藍寶石單晶晶向的方法。 本標準適用于測定表面取向大致平行于低指數晶面的藍寶石單晶材料
Test method for determining the orientation of sapphire single crystal
本文件描述了X射線衍射定向和光圖定向測定半導體單晶晶向的方法。 本文件適用于半導體單晶晶向的測定
Method for Determination of Crystalline Orientation of Semiconductor Single Crystal
