暖暖爱视频免费,国产成人涩涩涩视频在线观看,中文在线中文资源,日本亚洲色大成网站WWW久久

DIN 50453-2:2023-08
半導體技術材料的測試 - 蝕刻混合物蝕刻速率的測定 - 第 2 部分:二氧化硅涂層,光學方法

Testing of materials for semiconductor technology - Determination of etch rates of etching mixtures - Part 2: Silicon-dioxide coating, optical method


標準號
DIN 50453-2:2023-08
發布
2023年
總頁數
9頁
發布單位
德國標準化學會
當前最新
DIN 50453-2:2023-08
 
 
適用范圍
本文件規定了一種用于快速測定二氧化硅層蝕刻混合物蝕刻速率的方法。 本文件適用于在二氧化硅上實現基本均勻表面去除的蝕刻混合物。
蝕刻混合物
Etching mixtures
用于蝕刻二氧化硅層的化學混合物。
二氧化硅層
Silicon dioxide layer
單晶硅基板上氧化形成的薄膜層。
蝕刻速率
Etching rate
單位時間內蝕刻去除的二氧化硅層厚度。

DIN 50453-2:2023-08 中提到的儀器設備

干涉儀

波長范圍400-1050nm
用于測量二氧化硅層的厚度

中圖儀器SJ6000激光干涉儀

中圖儀器 SJ6000

激光干涉儀

APRE S100/HR

臥式激光干涉儀

HL HOOL L6600A

磁力攪拌器

轉速范圍0-500 min-1,配PTFE包覆攪拌棒(35mm×7mm)
用于攪拌蝕刻混合物的設備
聚乙烯燒杯

600ml,高度120-125mm,內徑85-90mm,底部凸起≤2mm
用于盛放蝕刻混合物的容器
PTFE鑷子

長度170-200mm,寬度10-15mm,尖端30-50mm處內彎并刻痕
用于夾持硅基板的工具
恒溫器

溫度范圍15-90°C,精度±0.5°C
用于控制蝕刻混合物的溫度

DIN 50453-2:2023-08相似標準





Copyright ?2007-2025 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網安備1101085018 電信與信息服務業務經營許可證:京ICP證110310號
頁面更新時間: 2025-05-08 11:46