ASTM F1619-95(2000)e1
用紅外線吸收光譜法和布魯斯特角部偏振輻射入射測量間充氧含量的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
Standard Test Method for Measurement of Interstitial Oxygen Content of Silicon Wafers by Infrared Absorption Spectroscopy with p-Polarized Radiation Incident at the Brewster Angle
2003-08
- 標(biāo)準(zhǔn)號
- ASTM F1619-95(2000)e1 中文首頁
- 發(fā)布
- 1995年
- 總頁數(shù)
- 7頁
- 發(fā)布單位
- 美國材料與試驗(yàn)協(xié)會
- 當(dāng)前最新
- ASTM F1619-95(2000)e1
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM F1188 ASTM F1241
- 適用范圍
- 該標(biāo)準(zhǔn)于 20031 年 5 月轉(zhuǎn)移至 SEMI (www.semi.org)。1 該測試方法涵蓋通過傅里葉變換紅外 (FT-IR) 光譜測定商用單晶硅片間隙氧含量的吸收系數(shù)。在此測試方法中，入射輻射是 p 偏振的，并以布魯斯特角入射到測試樣本上，以最大限度地減少多次反射。注釋 18212；在此測試方法中，電矢量平行于入射平面的輻射被定義為 p 偏振輻射。注釋 28212；委員會 F01 已被告知該測試方法的某些方面可能受專利保護(hù)由東芝陶瓷株式會社申請。委員會對此類專利的適用性或有效性不采取任何立場，但它要求該測試方法的用戶和其他相關(guān)方提供與該測試方法相關(guān)的非專利替代品的任何可用信息。
1.2 自間隙氧濃度與 1107 cm1 吸收帶的吸收系數(shù)成正比，可以使用獨(dú)立確定的校準(zhǔn)因子直接得出晶片的間隙氧含量。
1.3 測試樣品是指定類型的單面拋光硅片在 SEMI 規(guī)范 M1 中。晶片的正面進(jìn)行鏡面拋光，背面可以進(jìn)行切割、研磨或蝕刻（見8.1.1.1）。
1.4 本測試方法適用于室溫下電阻率大于5 937;cm的硅晶片.1.5 本標(biāo)準(zhǔn)并不旨在解決與其使用相關(guān)的所有安全問題（如果有）。本標(biāo)準(zhǔn)的使用者有責(zé)任在使用前建立適當(dāng)?shù)陌踩徒】祵?shí)踐并確定監(jiān)管限制的適用性。