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GB/T 2423.40-2013
環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱

Environmental testing.Part 2:Test methods.Test Cx:Damp heat, steady state(unsaturated pressurized vapour)

GBT2423.40-2013, GB2423.40-2013


標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
GB/T 2423.40-2013
別名
GBT2423.40-2013, GB2423.40-2013
發(fā)布
2013年
總頁(yè)數(shù)
19頁(yè)
采用標(biāo)準(zhǔn)
IEC 60068-2-66:1994 IDT
發(fā)布單位
國(guó)家質(zhì)檢總局
當(dāng)前最新
GB/T 2423.40-2013
 
 
引用標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 2423.1-2008 GB/T 2423.10-2008 GB/T 2423.15-2008 GB/T 2423.16-2008 GB/T 2423.17-2008 GB/T 2423.18-2012 GB/T 2423.19-2013 GB/T 2423.2-2008 GB/T 2423.6-1995 GB/T 2423.7-1995 GB/T 2423.8-1995
被代替標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 2423.40-1997
適用范圍
GB/T2423 的本部分規(guī)定「一種以加速方式評(píng)定小型電下電子產(chǎn)品〔主要是非氣密元件)耐濕熱劣化效廊的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法。 本試驗(yàn)不適用于評(píng)定如腐蝕和變形等外部效應(yīng)。 2概述
未飽和高壓蒸汽恒定濕熱試驗(yàn)
Steady-state unsaturated pressurized vapor damp heat test		一種用于評(píng)定小型電下電子產(chǎn)品耐濕熱劣化的加速試驗(yàn)方法。

GB/T 2423.40-2013 中提到的儀器設(shè)備

試驗(yàn)箱
符合 GB/T 2423.40-2013 要求		用于產(chǎn)生和控制高溫高濕環(huán)境的設(shè)備。

其他標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 2423.6-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分;試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則; 碰撞 GB/T 2423.44-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eg:撞擊 彈簧錘 GB/T 2423.8-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分;試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ed:自由跌落 GB/T 2423.9-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分;試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cb: 設(shè)備用恒定濕熱 GB/T 2423.21-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)M:低氣壓 GB/T 2423.50-2012 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cy: 恒定濕熱 主要用于元件的加速試驗(yàn) GB/T 2423.34-2012 環(huán)境試驗(yàn).第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/AD：溫度/濕度組合循環(huán)試驗(yàn) GB/T 2423.45-2012 環(huán)境試驗(yàn).第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/ABDM：氣候順序 GB/T 2423.19-2013 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn) GB/T 2423.23-2013 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Q:密封 GB/T 2423.41-2013 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 風(fēng)壓 GB/T 2423.65-2024 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)：鹽霧/溫度/濕度/太陽(yáng)輻射綜合 GB/T 2423.61-2018 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)和導(dǎo)則:大型試件砂塵試驗(yàn) GB/T 2423.64-2023 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fj：振動(dòng) 長(zhǎng)時(shí)間歷程再現(xiàn) GB/T 2423.56-2023 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fh：寬帶隨機(jī)振動(dòng)和導(dǎo)則 GB/T 2423.54-2022 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Xc:流體污染 GB/T 2423.47-2018 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fg：聲振 GB/T 2423.17-2024 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ka：鹽霧 GB/T 2423.62-2018 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fx和導(dǎo)則:多輸入多輸出振動(dòng)

專題

GB/T 2423.40-2013相似標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 2423.40-2013系列標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 2423.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)A: 低溫 GB/T 2423.10-2019 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc: 振動(dòng)(正弦) GB/T 2423.101-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn):傾斜和搖擺 GB/T 2423.102-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn):溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(dòng)(正弦)綜合 GB/T 2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fd: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求 GB/T 2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性 GB/T 2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdb: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--中再現(xiàn)性 GB/T 2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdc: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--低再現(xiàn)性 GB/T 2423.15-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分: 試驗(yàn)方法.試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則: 穩(wěn)態(tài)加速度 GB/T 2423.16-2022 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)J和導(dǎo)則：長(zhǎng)霉 GB/T 2423.17-2024 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ka：鹽霧 GB/T 2423.18-2021 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kb：鹽霧，交變（氯化鈉溶液） GB/T 2423.19-2013 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn) GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)B:高溫 GB/T 2423.20-2014 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn) GB/T 2423.21-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)M:低氣壓 GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗(yàn).第2部分：試驗(yàn)方法.試驗(yàn)N：溫度變化 GB/T 2423.23-2013 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Q:密封 GB/T 2423.24-2022 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)S：模擬地面上的太陽(yáng)輻射及太陽(yáng)輻射試驗(yàn)和氣候老化試驗(yàn)導(dǎo)則 GB/T 2423.25-2008 電工電子產(chǎn)品 環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)Z/AM:低溫/低氣壓綜合試驗(yàn) GB/T 2423.26-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)Z/BM:高溫/低氣壓綜合試驗(yàn) GB/T 2423.27-2020 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/AMD:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn) GB/T 2423.28-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分;試驗(yàn)方法 試驗(yàn)T:錫焊 GB/T 2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度 GB/T 2423.3-2016 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cab：恒定濕熱試驗(yàn)

誰(shuí)引用了GB/T 2423.40-2013 更多引用



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