由于幾秒鐘的超快淬火過程，可以應用比玻璃軟化點高得多的溫度來生長石墨烯，這被認為有利于石墨烯的質量和薄膜附著力。利用致密PDA前驅體薄膜的厚度可控性，獲得了連續的多層石墨烯或渦輪層石墨薄膜，盡管石墨烯質量受到非催化多晶玻璃表面和具有各種低聚物和偶聯物的復雜PDA結構的限制，但石墨烯玻璃具有優異的表面電導率。...
最新技術實現了帶隙，這是開發基于石墨烯的電子產品的關鍵一步?！ ⊙芯繄F隊在使用特殊熔爐在碳化硅晶圓上生長石墨烯時取得了突破。他們生產了外延石墨烯，這是在碳化硅晶面上生長的單層。研究發現，當制造得當時，外延石墨烯會與碳化硅發生化學鍵合，并開始表現出半導體特性。 但要制造功能性晶體管，必須對半導體材料進行大量操作，這可能會損害其性能。...
2022年11月4日，國際標準IEC/TS 62607-6-22（納米制造-關鍵控制特性-第6-22部分：石墨烯基材料-灰分含量：燃燒法）正式發布。 “我們每年向國際電工委員會納米電工產品與系統技術委員會成員國科學家匯報兩次進展。由于前期工作基礎夯實，該標準提案自立項起一年半時間就正式發布，通過速度比大部分國際標準快很多。”黃顯虹介紹?！ ?..
該研究團隊巧妙地設計了微納鼓泡實驗方法，通過均勻地調控微納孔內外的壓力差，控制孔上單層/雙層石墨烯的鼓起，從而實現“拉拽”孔外基底吸附的單層/雙層石墨烯向微孔中心產生滑移；在雙層石墨烯鼓泡實驗中，與下層石墨烯和二氧化硅基底之間的界面作用相比，石墨烯層間界面有著更弱的剪切阻力；借助拉曼光譜和原子力顯微技術，可以精確地測量層間剪切變形場隨著壓力增大而擴展，結合實驗分析、理論計算和分子動力學模擬，最終獲得雙層石墨烯層間的剪切阻力約為...
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